SK하이닉스

HBM의 사용 장면은 2025년 COMPUTEX 전시에서 비교적 선명하게 드러났다. 36GB 12단 HBM3E가 NVIDIA GB200 GPU 모듈과 함께 놓였다. 화면 속 두 제품의 근접성은 HBM이 독립적인 완제품이 아니라 AI 가속기 플랫폼의 데이터 통로로 팔린다는 점을 보여준다. 가속기 채택 일정과 메모리 인증, 공급 시점이 맞물릴 수밖에 없는 이유도 이 장면에 압축돼 있다.

▲ NVIDIA GB200 GPU 모듈과 36GB 12단 HBM3E가 함께 놓인 전시물 — 출처: SK hynix Newsroom, 2025-06-05

하지만 데이터센터 한 대를 HBM만으로 채울 수는 없다. FMS 2026에서는 Dell R7625 서버와 그 내부에 탑재된 SK하이닉스 DDR5 RDIMM, eSSD가 공개됐다. RDIMM은 서버가 처리 중인 데이터를 담는 DRAM 모듈이고, eSSD는 기업용 저장장치다. 이 사례는 HBM 바깥에서도 서버 시스템의 용량과 저장 수요를 따라 매출 기회가 생긴다는 사실을 보여준다.

▲ Dell R7625 서버 전시대와 내부 부품을 살펴보는 관람객들 — 출처: SK hynix Newsroom, 2026-08-07

NAND 쪽에서는 321단 QLC NAND 기반 PQC21 cSSD가 구체적인 고객 장면을 만들었다. QLC는 한 셀에 여러 비트를 저장하는 NAND 방식이며, cSSD는 데이터센터용 SSD 제품군이다. 회사는 제품 공급을 시작했고 2026년 4월부터 Dell Technologies에 본격 공급한다고 발표했다. HBM이 가속기의 처리 속도를 받친다면, 서버 DRAM과 cSSD는 더 넓은 데이터센터 시스템에서 작업 공간과 저장 공간을 차지한다.

따라서 제품 포트폴리오를 읽을 때는 ‘HBM 대 나머지’보다 데이터가 지나가는 위치를 보는 편이 낫다. 가속기 바로 옆에는 HBM, 서버 보드에는 DRAM 모듈, 저장 계층에는 eSSD가 있다. 고객의 AI 인프라 투자가 커지면 세 영역 모두 기회를 얻을 수 있지만, 각 제품의 가격과 교체 주기, 인증 상대는 같지 않다. 한 영역의 강세가 다른 모든 메모리 제품의 판매를 자동으로 보장하지도 않는다.

HBM4를 양산품으로 바꾸는 구간

회사는 2025년 9월 HBM4 개발 완료와 양산 준비를 발표했고, 2026년 2분기에는 양산 출하를 시작했다고 밝혔다. HBM4E 샘플도 2026년 상반기에 출하했다. 개발 완료, 샘플 전달, 고객 인증, 양산 출하, 매출 인식은 서로 다른 사건이다. 2분기 발표로 확인되는 가장 앞선 단계는 HBM4의 양산 출하이며, HBM4E는 샘플 단계다.

HBM 경쟁력이 설계 사양만으로 결정되지 않는 이유는 다이를 쌓은 뒤에도 공정이 계속되기 때문이다. TSV는 적층된 다이 사이를 수직으로 연결하는 통로다. 다이 수가 늘어난 제품을 반복 가능한 품질로 묶고, 열을 처리하면서, 필요한 물량을 생산해야 고객 시스템에 들어간다. 회사 역시 HBM4 경쟁력을 설명할 때 적층과 패키징을 포함한 양산 역량을 강조했다.

냉각이 패키지 안으로 들어오는 iHBM

연산량이 늘수록 열을 밖으로 빼내는 방식도 제품 설계의 일부가 된다. 회사가 공개한 iHBM 개념은 HBM과 연산 칩 사이에 ICE, 즉 통합 냉각 요소를 배치해 열 방출 경로를 만드는 방식이다. 회사는 기존 대비 열저항 30% 저감을 제시했고 HBM5 등 미래 제품 적용을 예정했다.

▲ 연산 칩과 HBM 사이의 냉각 요소 및 위쪽 열 방출 경로를 표시한 iHBM 개념도 — 출처: SK hynix Newsroom, 2026-05-26

iHBM은 현재 판매 실적보다 기술 방향을 보여주는 사례다. 메모리 공급자가 칩의 저장 기능뿐 아니라 패키지 내부의 열 흐름까지 다루려 한다는 뜻이다. 미래의 HBM 세대가 높이와 대역폭만 겨루는 제품이 아니라, 가속기와 냉각 구조를 함께 조율하는 부품이 될 가능성을 회사 스스로 제시한 셈이다.

2025년 연결 매출은 97조1,467억원, 영업이익은 47조2,063억원, 순이익은 42조9,479억원이었다. 영업이익률은 49%였고 재무제표는 2026년 정기 주주총회에서 승인됐다. 2026년 들어 발표된 분기 수치는 규모와 이익률이 다시 크게 높아진 모습을 보인다.

1분기 수치는 정기공시와 회사 발표에서 확인된다. 2분기 잠정 매출은 79조3,187억원, 영업이익은 60조5,426억원이었다. 회사는 상반기 매출이 처음 100조원을 넘었다고 밝혔다. 다만 연간 실적과 분기 실적은 기간이 다르고, 2분기는 독립 검토가 끝나지 않은 잠정치다. 표의 크기를 단순한 연속 성장률처럼 읽기보다 비교 기간과 확정 상태를 함께 봐야 한다.

이 숫자들은 HBM의 기술 우위를 그 자체로 측정한 지표가 아니라, 제품 출하와 가격, 서버용 제품 구성이 재무제표에 합쳐진 결과다. 특히 잠정 실적에는 제품별 매출 기여가 따로 제시되지 않았으므로 전체 이익을 HBM 하나의 성과로 환원할 수 없다. HBM의 비중이 커졌다는 방향과 개별 제품이 얼마를 벌었는지는 구분해서 읽어야 한다.

회사가 제시한 직접적인 설명은 고부가 HBM과 AI 서버용 제품의 출하 확대, 우호적인 메모리 가격이다. 영업이익률 76%는 이 제품 구성과 가격 환경이 동시에 강했을 때의 결과다. 반대로 출하 시점이 밀리거나 메모리 가격의 상방이 제한되면 높은 이익률을 그대로 연장하기 어려울 수 있다. 독립 보도는 AI 인프라 지출 둔화, 첨단 제품 출하 지연, 장기계약에 따른 현물가격 상승 제한을 하방 조건으로 꼽았다.

재무상태도 빠르게 달라졌다. 회사 발표 기준 1분기 말 현금및현금성자산은 54.3조원, 이자부채는 19.3조원으로 순현금이 35조원이었다. 2분기 잠정 발표에서는 현금 88조원, 총부채 18.6조원, 순현금 69.4조원을 제시했다. 현금 축적은 대규모 설비투자를 감당할 여지를 넓히지만, 생산능력 확대의 규모 자체가 워낙 커서 투자 규율의 중요성까지 없애지는 않는다.

주주환원에서는 FY2025 총배당 2.1조원, 주당 3,000원과 자사주 소각이 발표됐다. 기록적인 이익이 배당과 소각으로 이어진 한편, 설비 확장에는 별도의 대규모 자금이 투입된다. 이 회사의 현금은 주주환원, 기술 전환, 공장 건설이라는 세 방향에서 동시에 쓰임새를 요구받는다.

강한 실적 발표가 곧 안정적인 주가로 번역된 것도 아니다. 2026년 7월 29일 독립 보도는 실적이 강했는데도 시장 기대와의 차이, AI 투자 기대, 밸류에이션과 레버리지 조정이 주가 변동성을 키웠다고 전했다. 절대 이익의 크기와 투자자가 미리 가격에 넣은 기대 사이에는 상당한 간격이 있을 수 있다는 장면이다.

2026년에 공개된 사업 진척은 제품 공급부터 공동개발, 표준화까지 범위가 넓다. 모두 사업적으로 의미가 있지만 확정된 경제적 가치가 같은 것은 아니다. 현재 위치를 한 번 구분하면 다음과 같다.

약 10개 고객과 맺었다는 장기공급계약은 수요 가시성을 높일 수 있는 신호다. 그러나 고객명과 계약가치가 공개되지 않아 계약 숫자만으로 향후 매출을 계산할 수는 없다. 장기계약은 공급자에게 생산계획의 기준을 주는 대신 현물가격 상승기에 가격 상방을 제한할 가능성도 있다. 계약의 질은 개수보다 기간, 가격 공식, 물량 의무와 제품 세대가 공개될 때 더 정확히 드러난다.

NVIDIA와의 다년 기술 파트너십은 관계의 폭을 넓힌다. 양사는 차세대 메모리 공동개발과 공급, 제조 최적화를 협력 대상으로 제시했다. AI 가속기와 메모리의 개발 일정이 가까워지는 흐름을 확인할 수 있지만, 파트너십 발표문 자체가 특정 제품의 구매 주문서는 아니다. 기술 협력이 실제 공급으로 이동하는 지점은 제품 세대별 인증과 출하에서 확인된다.

▲ HBM·NAND·서버 메모리 전시물이 함께 배치된 FMS 2026 부스 — 출처: SK hynix Newsroom, 2026-08-07

전시부스에 여러 제품을 한꺼번에 올리는 이유도 이 공급 관계와 닿아 있다. 고객은 단품의 최고 사양만 보는 것이 아니라 자신의 가속기, 서버, 저장장치 구성에서 어떤 제품이 언제 준비되는지를 본다. HBM의 선두 지위가 서버 DRAM과 eSSD의 접점을 넓혀줄 수는 있어도, 각 제품은 각자의 검증과 공급 실적을 통과해야 한다.

메모리 사업에서 제품 로드맵은 결국 생산 공간을 요구한다. 용인 반도체 클러스터 첫 팹에는 2030년까지 21.6조원을 추가 투자할 계획이며, 기존 발표분을 합친 첫 팹 투자액은 약 31조원이다. 첫 클린룸 개장 목표는 2027년 2월로 제시됐다. 클린룸이 열리는 시점과 완전한 생산능력이 갖춰지는 시점은 같지 않지만, 적어도 제품 수요를 공장 일정으로 바꾼 구체적인 표지는 생겼다.

▲ 용인 첫 팹의 신규 21.6조원과 기존 9.4조원 투자를 합산해 보여주는 인포그래픽 — 출처: SK hynix Newsroom, 2026-02-25

회사는 용인·청주·남서부 신규 클러스터를 합쳐 총 1,100조원의 중장기 투자 방향도 제시했다. 이 숫자는 한 번에 확정 집행되는 예산이 아니라 수요와 투자 효율에 따라 단계적으로 집행한다는 방향이다. headline의 크기보다 각 팹의 착공, 클린룸 개장, 장비 반입과 생산 전환을 따로 확인해야 하는 이유다.

시설자금 조달도 이미 자본구조의 사건이 됐다. KRX 공시에 따르면 회사는 제3자배정 방식으로 보통주 1,779만주를 발행하기로 했고 시설자금 목적 금액은 45.45345조원이다. 생산설비 확대가 기존 현금만의 문제가 아니라 신규 주식 발행과 주당 지분 변화까지 연결된 것이다. AI 메모리 수요를 놓치지 않기 위한 속도와 기존 주주의 희석 부담이 같은 결정 안에 들어 있다.

생산능력은 많을수록 무조건 좋은 자산이 아니다. HBM과 서버 메모리 수요가 계획대로 이어지면 선제 투자는 공급 제약을 풀어주는 기반이 된다. 수요의 속도가 늦어지면 감가상각과 고정비를 안고 가는 설비가 된다. 회사가 장기 투자 방향에 단계 집행 조건을 붙인 것은 이 양면성을 인정한 표현에 가깝다.

회사가 설명하는 기술 연표는 1983년 현대전자 출범, 1985년 64K DRAM 양산, 2004년 NAND 진입, 2013년 TSV 기반 HBM 개발로 이어진다. 지금의 HBM 강점은 AI 열풍이 시작된 뒤 갑자기 생긴 사업부라기보다 DRAM 제조와 적층 기술이 장기간 이어진 결과로 제시된다.

이 연표에서 중요한 변화는 메모리의 역할이 넓어졌다는 점이다. 초기의 DRAM 양산 경험은 메모리 셀과 생산공정의 기반을 만들었고, NAND는 비휘발성 저장 영역을 더했다. TSV 기반 HBM은 메모리를 평면 칩에서 적층 패키지로 옮겼다. 현재 서버 전시대에서 HBM, DDR5 RDIMM, eSSD가 함께 등장하는 것은 서로 다른 시기에 쌓인 제품 축이 AI 데이터센터라는 한 장소에서 다시 만난 결과다.

역사는 선두 지위를 보증하는 면허증은 아니다. 다만 회사가 왜 HBM 한 제품에만 의존하지 않고 DRAM·NAND·패키징·팹을 동시에 끌고 가는지는 설명해준다. 새로운 세대가 나올 때 기존 공정을 버리는 대신, 저장과 처리 사이의 다른 위치로 기술을 배치해 온 것이다.

HBF는 HBM과 SSD 사이를 겨냥하는 차세대 NAND 계층 기술이다. SK하이닉스와 Sandisk는 OCP 산하에서 글로벌 표준화 작업을 시작했다. 표준화는 여러 시스템 사업자가 공통 규격을 논의하는 출발점이지, 상용 제품의 판매 완료를 뜻하지 않는다. 그럼에도 HBF가 흥미로운 이유는 AI 시스템의 메모리 문제가 HBM의 대역폭만으로 끝나지 않는다고 회사가 보고 있기 때문이다.

회사가 2026년 FMS에서 제시한 장면은 세 층으로 읽힌다. 가장 가까운 가속기 옆에는 HBM, 서버의 작업 공간에는 DRAM, 대규모 저장에는 eSSD가 있다. HBF는 이 사이에 새로운 NAND 기반 계층을 만들려는 시도이고, iHBM은 가장 빠른 층의 열을 패키지 안에서 해결하려는 시도다. 하나는 메모리 계층을 넓히고 다른 하나는 적층 패키지의 물리적 한계를 다룬다.

현재 매출을 만드는 것은 이미 출하되는 HBM과 서버 메모리, eSSD다. 그 매출이 남긴 현금은 차세대 패키징과 공장으로 들어가고, 새 공장은 다시 고객의 다음 가속기와 서버 일정에 맞춰야 한다. 전시대 위의 작은 적층 칩과 용인의 수십조원짜리 생산공간은 멀리 떨어진 장면처럼 보이지만, SK하이닉스에서는 같은 주문을 서로 다른 크기로 표현한다.